TMD为生产相对大面积的单分子层半导体提供了很大的可能性，南方利用其光学、电子或自旋特性，可以将其制成纳米级器件结构。

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因此，电网达可以通过TF的相变实现对任意形状物体的磁性操纵，而无需对目标物体进行其他处理。而液态金属(LM)，公司规模特别是共晶镓铟(EGaIn)，似乎是解决功能性和可拉伸性之间权衡的最有希望的候选者。

分布（h）制造过渡铁磁流体的基本程序。式源上线(b)50%LMNPs-1.4/85PU与50%LMNPs-0.3/85PU破碎应变的实验值与理论值。